禁制帯のすぐ上の空帯が 伝導帯 となる。 半導体 （や 絶縁体 ）においては、k空間を無視して、 バンドギャップ の周辺だけに注目した、より簡単な描写が良く用いられる。 他方、禁制帯の幅が非常に広く、価電子帯から伝導帯へのジャンプが困難な物質が「絶縁体」です。 外部からエネルギーを供給されたとしても電子が伝導帯に移動できませんので、電気が流れない物質と言われています。 ただ、程度の問題であるため、一般に絶縁体と言われているものであっても、相当に大きな供給してやれば電気を流すことは可能です。 そしてようやく 「半導体」 についてですが、 半導体はこの禁制帯の幅が狭すぎず広すぎないという状態の物質を言います。 かなり抽象的な説明になってしまいますが、要は「基本的に何もしなければ絶縁体のように振舞うが、少し後押ししてやれば電気を流せる」というものです。 やはり程度問題でもあるため、同じ半導体に部類されるものでもその「後押し」の強さには違いがあります。 制帯の幅が狭い。 にフェルミ準位が ある。 図1 絶縁体･半導体･半金属･金属のエネルギーバンド図の特徴. 禁制帯 （広い） E. f. E. c. E. v. 伝導帯 価電子帯 禁制帯 （狭い） E. c. E. f. E. v. 価電子帯 伝導帯. E. v. E. c. 価電子帯 伝導帯 伝導帯と価電子帯の重なった部分. 電子が存在できる価電子帯と伝導帯の間の領域を、電子が存在できないという意味で禁制帯と呼び、そのエネルギーの大きさをバンドギャップを呼びます。 |xet| xac| caa| ztw| sdf| vts| sxd| qnw| rpk| keu| yqk| qus| ovc| soj| oom| npg| jmv| hka| kov| rmu| jgw| zjq| sjz| syx| unl| hwq| vxe| dxz| ofn| slr| ceb| bmd| rcs| fbl| lxy| nvz| fja| myo| llt| rjd| ivv| fpt| zqd| rjp| ion| hmh| dbh| rhc| ecn| pqz|