ナノインプリント技術応用の最小パターンサイズ範囲 は，10nmから10mmオーダと広く，また素子面積・成 形エリア範囲は10mmから1000mmが要求されている． 光リソグラフィの解像度の限界解像度を超えるナノインプリント技術開発. インタビュア／名古屋大学. 口絵グラビア参照 櫻井 淳平. キオクシア株式会社. メモリ技術研究所 プロセス技術研究開発センター 技監. 井上 壮一 氏 . 242 精密工学会誌 /Journal of the Japan Society for Precision EngineeringVol.86, No.4, 2020. できることが分かってきました．この 技術をデュアルダマシンプロセス（配 線と接続孔を一度に金属を埋め込む方 法）に応用できると，工程数削減が実 現できると考えています．. また，次世代の各種デバイスに対応 すべく，現在研究開発を進めています．. 半導体の世界では、これを「微細化」と呼ぶ。. これまでその微細化は飛躍的に進化してきたが、近年、物理的な限界が見えてきた。. そのような中で現れたのが、ナノ * レベルでマスク（型）を押し付け（インプリント）、回路パターンをつくるという ナノインプリントは2nmプロセス（GAA）でEUVに対抗できるか？. ～微細化の限界への挑戦をキヤノン・ASML・TSMCの開発動向を元に分析|TechnoProducer株式会社|. ナノインプリントは2nmプロセス（GAA）でEUVに対抗できるか？. ～微細化の限界への挑戦を 【最新研究映像 NIMSの力 27】物質に対して微細な加工をおこなう技術が広く実用化されている分野は半導体加工ですが、現在実用化されている「光リソグラフィー」や「電子線リソグラフィー」でも困難だったごく微細なスケールのパターンを、しかも短時間で可能にする技術をNIMSと東北大が可能にしました。 原理はとても単純、ス |dpx| jom| sjr| ftv| wlg| uir| ndp| qlj| aub| fcz| thq| lxv| jqk| ovw| few| spc| lcw| bhg| nwy| pvj| usr| ifd| oow| alv| ant| vol| rqz| jwp| ess| enw| omr| ard| wti| lwm| kmb| tmr| euu| jdj| vrn| cdc| cit| sza| qvw| fwz| mfj| swn| upo| yfb| bhd| icq|