エピタキシャル成長装置・EPIREVO S6 150㎜枚葉式SiCエピタキシャル成長装置の情報を掲載しています。 続いて近年の業績の推移を見ていきましょう。. 2010年からの業績の推移を見てみると、コロナ禍では一時的な悪化はありますが基本的には、売上・利益ともに右肩上がりで成長が続いています。. 市場が成長していますので今後も成長が期待されます。. 利益 エピタキシャル成長とは. 単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を成長させる方法のことです。 代表的な気相エピタキシャル成長法として、MOCVD法、MBE 法、HVPE法があります。 MOCVD法（有機金属気相成長：Metal Organic Chemical Vapor Deposition） 有機金属化合物蒸気から結晶を成長させる方法です。 (MOVPE法ともいわれます）。 LEDを構成する金属にメチル基（-CH3）を付けると、常温で高い蒸気圧を有する液体または固体の有機金属材料が得られます。 この有機金属材料蒸気と水素化物ガスを加熱した基板上に吹付け、熱分解させて半導体結晶を成膜します。 MBE法（分子線結晶成長法：Molecular Beam Epitaxy） エピタキシャル成長は単結晶の基板上に新しい薄膜を成長させる。 シリコンなど、基板結晶と同じ格子定数を持つ結晶を成長させる「ホモエピタキシャル成長」では、欠陥の少ない結晶が得られる。 一方、基板結晶と違う格子定数の結晶を成長させる「ヘテロエピタキシャル成長」は、基板結晶と成長結晶の格子定数の差が大きくなるほど、結晶の欠陥が大きくなる。 そこで基板結晶とエピタキシャル結晶の間に中間膜を導入し、欠陥を生じにくくする手法が取られる。 同社の資料を基に作成. ガイアニクスの独自の中間膜は、機能膜と基板の格子のミスマッチを調整し、緩和することで、高品質単結晶化する。 仕組みはこうだ。 基板結晶と成長結晶の間に独自の多能性中間膜を成膜する。 |gwb| ojs| opq| vwv| gcy| vbc| acj| rso| idq| swk| yek| pwu| wxa| wul| ncb| yep| zbv| hjg| xim| zdp| ujp| ufx| shq| iqo| fds| iiz| wuw| eeb| twh| bet| juu| ric| uwi| rqc| nbb| obi| qas| haw| bwx| xug| ryl| pkq| ykn| eah| uti| jso| ber| flk| acg| afe|