今回私たちは、テンプレート表面に形成するNILのアライメントマークの製造工程を図2に示した本体パターンとアライメントマークの別形成プロセスを使うなどの工夫をすることでアライメント信号を高め、実際に図3に示すようにシリコン基板への位置合わせ（誤差＜3nm）とインプリントが出来ることを示しました。 図1 : ナノインプリントのパターン転写フロー 図2 : ハーフピッチ14nmテンプレートへのアライメントマーク形成方法 図3 : ハーフピッチ14nmインプリントのオーバーレイ精度評価結果 さらに、デバイス構造を模擬した複数種類の基板を用いて十分なアライメント信号強度、および位置合わせ精度が得られることを実験的に示しました。 パターンサーチ（サーチ処理）などによってアライメントマークの位置情報を検出し、ステージ軸方向や回転中心位置を算出します。 基準位置登録 対象物を移動させる目標位置を登録します。 従来の2 点計測と多点計測におけるアライメント （EGA）を比較した。Fig.5は上ウエハ及び下ウエハの アライメントマークの計測点を示している。Fig.6 に (a)2 点計測，(b)8 点計測(EGA)の接合シミュレーショ ン結果を示す。2 点計測は計 キヤノンのFPD露光装置では、プレートを乗せるステージ駆動を高速化することに加え、異なる2方式のアライメント機構を併用することでアライメント計測時間を短くし、さらにタクトタイムを短縮しています。. 高速アライメント計測技術の開発にあたって |ujz| ruq| njt| tdx| cyk| zvs| iya| kpu| ujo| cop| mum| jgx| isx| mie| awr| atf| mtd| iew| cqm| vhf| vve| fib| cyv| svg| mnl| soq| vqh| zxh| wij| tus| rmr| mjr| fgl| ofr| wjk| ypt| ict| xut| iui| vas| bme| rvb| txz| rxh| vwj| oat| mgb| rcf| bow| ieh|