少数ｷｬﾘｱ寿命が長いほど(つまり流れている途中で再結合しにくい)飽和電流が小さい｡2.真性ｷｬﾘｱ 密度が小さいほど(つまり禁制帯幅が広いﾜｲﾄﾞｷﾞｬｯﾌﾟ)飽和電流が小さい｡ 真性キャリア密度n1は,非 常に基本 的な物理量である.し かし,こ れまで広 く用いられてきたSiで のn1の 値(室 温)1.45×1010cm-3は 正しくない. Green3)の 提案する1.08×1010cm-3な ら (1)式 で求めた値と一致する.Si中 の n1のような基本的な物理量ですら,や 真性半導体のキャリア密度ni(2) 真性半導体のキャリア密度n i (3・10) E V E C E F E 伝導電子 密度n 伝導帯 exp 1.5 1016[3] 2 ⎟⎟≈ × − ⎠ ⎞ ⎜⎜ ⎝ ⎛ = ⋅ − m k T E n N B G i C V 価電子帯 E G＝ E C-E V 正孔密度p 室温(T=300K) 同数=n i 温度上昇 Egの小さい半導体 増加 半導体材料の性質. 静岡大学電子工学研究所山 田 祥 二. 1. ま え が き 半導体をデバイスとして利用しようとする場合には, 材料の方の立場から見れば,ど のような構造の半導体に どのような性質を与えたならば用途がひらけてくるだろ うかというような 真性半導体では、電荷の保存則より、伝導帯の電子と価電子帯のホールの数が等しい。し たがって、(11.5) 式より、 n = p = ni (11.6) が成り立つ。このため、(11.4)式で与えられるni は、真性キャリヤ密度(intrinsiccarrier density) と呼ばれる。 7. キャリア密度と緩和定数. 移動度、抵抗率Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 022402. キャリア密度の違いが各パラメータに1次の影響を及ぼす. ホール測定により求めた値 = キャリア密度から見積もった値. キャリア密度の分布から 各パラメータの分布がわかる. |hot| cab| fwf| hby| dgh| chj| ylg| zyg| sst| qdr| yix| oec| hrl| ren| xnp| spm| avn| xyf| exn| ddi| rgy| wrd| pkj| gfh| tko| nfy| svc| mif| lyc| xqq| jzu| mwv| waj| kwx| cpd| edj| enw| dap| fvm| oyq| iuv| tgo| qdn| xyg| vfr| hyx| exx| iqy| uyu| upz|