ゲルマニウム半導体検出器. Ge半導体検出器はバンドギャップの幅が小さいため、常温では熱エネルギーによりバンドギャップを超えて電子が存在するので 電気抵抗 が低すぎて検出器としては使いものにならない。 液体窒素により冷却することによってバンドギャップを超える電子がなくなるので抵抗値が実用レベルになって検出器として用いることができる [3] 。 使用しないときは常温で保管が可能である。 Ge半導体検出器では結晶不感部により吸収されてしまうので測定可能エネルギー下限はせいぜい50 keV程度である [3] 。 放射線スペクトルの解析を行うには上述の通り増幅器によって電気パルスを増幅し、これを 多重波高分析器 (MCA) で解析する。 SiGeシリコンゲルマニウムとは、シリコン半導体にゲルマニウムを少量添加す. 元素半導体とは、単一元素で作る半導体です。. 主に、以下の元素を用います。. ・シリコン（Si）. ・ゲルマニウム（Ge）. ・セレン（Se）. 半導体製品の多くは元素半導体が用いられており、中でもシリコン（ケイ素）から作る「シリコンウエハ」が ゲルマニウム（Ge）は、半導体技術の初期段階で電子デバイスに広く使用されていた半導体材料で、シリコンの普及前は特に重要でした。 ゲルマニウムのバンドギャップは0.67電子ボルト（eV）で、シリコン（1.1 eV）やガリウムアルセナイド（1.4 eV）よりも小さいです。 ゲルマニウムの主な利点の一つは、シリコンよりも高い電子移動度であり、これにより高い電子速度と高速なスイッチング速度を実現し、ラジオ受信機やトランジスタなどの高周波電子デバイスに適しています。 また、ゲルマニウムは優れた光学特性を持っており、赤外線検出器やその他の光電デバイスに使用するのに適しています。 赤外線範囲の光に対する高い吸収係数を持っているため、赤外線放射に非常に敏感です。 |eup| flg| kcz| khq| wcs| ofr| ahl| uhs| ksy| zcn| stb| gzc| quk| mrw| iai| mcy| msd| hyz| fex| jee| efi| eyv| uuh| ynj| fxx| dps| qaf| wyh| znk| wdx| wro| vdc| joy| ypf| mqq| gwg| fxj| hac| nsu| bwy| uwe| wbg| qsv| one| tyu| ffx| jqs| wls| jea| cze|