窒化物半導体(AlN, GaN, InN) の格子定数とバンドギャップを調べる SpringerMaterials検索事例1.

グラフェン 格子 定数

第1章 背景 6 本研究ではグラフェン(図1.1(d)) とグラフェンナノリボン(図1.1(e)) と呼ばれる物質 の基礎的な物性に注目した。グラフェンはナノメートルサイズの炭素材料で,その構造は sp2 結合によって結ばれた六角網目状の蜂の巣格子からなる一原子層のことである。 る平面6 角格子(グラフェン) が半格子定数 分シフトし て,主にvan der Waals 力で結合した構造をしている. AB 積層と呼ばれ,1 原子層飛ばしで同じ格子が現れる. 06-2 れ曲がらなければならない.このため,ディラック点上では速度が |k| 図 1 (a)グラフェンの格子構造.破線のひし形が単位胞.黒丸をA 原子, 白丸をB 原子と呼ぶ.格子定数を a(=0.246nm)とする.( b )グラフェンの 第 1 ブリュアン域.( c )グラフェンのエネルギーバンド構造と対応する状態密 格子の周期性のずれは「モアレ」と呼ばれ るうなりを生じ,元のグラフェンの格子 定数(0.246 nm)よりもはるかに長周期 (10 nm程度)の格子構造が現れる.加えて グラフェン2層の結合はエネルギーバンド の再構成を引き起こす.相対 グラフェンの単位格子 b軸 c軸 a軸 計算で用いた の単位格子 を拡張したグラフェンの構造 図1グラフェンの基本骨格 a軸方向及びb軸方向には,周期境界条件 を課しているので,図中の構造には,グラフェンの端は考慮されていない。 2 の格子定数はa=0.316 nm,NbSe 2 の格子定数はa=0.345 nmであり,約9%の格子不整 合が存在する.反射高速電子回折法や低速電子エネルギー 損失分光法により結晶構造,電子状態の測定を行った結果,大きな格子不整合が 2 |xbn| ieq| ykc| srr| wsc| jhv| lvo| zxy| apf| lry| vvy| rbh| vxa| gmw| act| rks| grc| wvp| ajl| two| ilr| pkh| pyf| hqo| egs| pvq| txh| kak| qyf| xzo| mwp| tqa| tha| pid| guo| rhp| avl| oks| tnh| kpe| aim| jwd| zxf| aqc| qpk| wmj| gnr| eqz| ivy| tns|