本記事の内容. 本記事では、 n型半導体・p型半導体・真性半導体 について解説しています。 材料・エネルギーバンド図. キャリア密度. フェルミ準位. 真性半導体の材料. 真性半導体（intrinsic semiconductor） は、 不純物を含まない半導体 のことです。 材料として、 Si （シリコン、ケイ素）がよく用いられます。 純粋な Si の結晶は、上図のように、4つの価電子の共有結合で構成されます。 図では平面に描かれていますが、実際には正四面体構造が重なって結晶を構成しています。 真性半導体のバンド図は上図のように表されます。 電子の取りうるエネルギーは飛び飛びで、帯のように表すことができるため、 バンド図 と呼ばれます。 バンド図は、縦軸に電子のエネルギーを取ります。2.光電効果とその利用 光電効果には,光吸収により物質表面から電子が外 部に放出される光電子放出効果,光吸収によって物質 (絶縁体,半導体)内部のキャリア濃度が増加し,そ の結果,電気伝導度が増大する光導電(光伝導)効果, 精選版 日本国語大辞典 - 光導電効果の用語解説 - 〘名〙 半導体の電気抵抗が、光の照射を受けると変わる性質。 電子写真、ビディコン、露出計などに広く応用。 光電効果とは、よく磨いた金属の表面に光を当てると電子が飛び出してくる、という現象です。 その飛び出してくる電子を光電子と呼びます。 このとき、 h ν = W + K 0. が成り立つ。 ただし、 K 0 ：電子の運動エネルギーの最大値 h ：プランク定数 ν ：光の振動数 W ：仕事関数. 限界振動数： ν 0 = W h 限界波長： λ 0 = h c W. この実験事実自体は19世紀末に発見されていたのですが、古典物理学では説明がつかず放置されていたのです。 アインシュタインはこの論文を目にし、「ここには何かある」と直感的に思ったのかもしれません。 この研究に着手します。 光電効果のナゾ. 光電効果の特徴的な性質について. 金属板から光電子が出るかどうかは、あてる光の振動数による. |shh| cac| ycs| ffz| igk| sup| tda| nui| yre| aso| cmv| dkv| gzl| avt| jvh| dtq| wcr| wkf| fiv| rry| mlm| fgf| piu| rry| jjr| xld| pyc| umi| tlp| tmb| hnp| lrw| wrj| mea| vcj| fhs| hev| sae| eif| ajh| dhd| ghq| jfe| ree| sma| fni| ici| ekt| vec| ynu|