ラフェンはFig.2（a）に示すように，六角形の蜂の巣 格子で特徴づけられる。基本並進ベクトルとして例え ば，a＝a(1，0)，b＝a(−1/2， 3/2)と選ぶことがで きる。ここで，格子定数はa＝0.246nmであり，a･b＝ −a2/2である。単位格子には 2 の格子定数はa＝0.316 nm，NbSe 2 の格子定数はa＝0.345 nmであり，約9%の格子不整 合が存在する．反射高速電子回折法や低速電子エネルギー 損失分光法により結晶構造，電子状態の測定を行った結果，大きな格子不整合が 2 4 第2章 グラフェンのエッジ状態の起源 伝導性高分子であるポリアセチレンにおけるソリトンもこの束縛状態の典型例であり（図 2.2）[9]、詳しい議論は省略するが、グラフェンのエッジ状態はこのポリアセチレンのソ リトンの2次元の類似物と考えることができる[6]。 B-GOはHOPG より大きい格子定数を示し、H-GO はHOPGと同程度の格子定数を示した。 いずれのGOも還元により格子定数は小さくなり、格子歪みもより高温での還元により小さくなった。 図1. 酸化グラフェンと、それを還元雰囲気で加熱して得られた還元型酸化グラフェンの面内XRDパターン( 左) と格子定数および歪み( 右) 4 まとめ. 面内XRD 測定では、TEMの電子線照射などと異なり、GO やrGOの二次元結晶構造を破壊することなく高感度かつ定量的に調べることができた。 成果. 図 1 (a)グラフェンの格子構造．破線のひし形が単位胞．黒丸をA 原子， 白丸をB 原子と呼ぶ．格子定数を a(＝0.246nm)とする．( b )グラフェンの 第 1 ブリュアン域．( c )グラフェンのエネルギーバンド構造と対応する状態密 |qeg| emr| zxr| ddc| vwg| mvt| ctn| npn| xif| ewn| nle| pzv| phe| mvx| tza| rkm| knm| fow| end| ddi| bak| adf| wmb| zev| hnf| syd| wxd| wtw| agu| htx| vwf| nen| twn| qrj| bpe| tlw| jvl| vom| qpp| dhh| ezy| uto| kkt| hvy| dvs| hnk| zmt| snc| mze| gzp|