1. 空気イオンの基礎 (1) 1-A. 空気イオンの発見. 1-B. 空気イオンの概念. 1-C. 移動度. 1-D. イオンの分類. 2. 空気イオンの基礎 (2) 2-A. 空気イオンの様々な生成要因. 2-B. 実際の空気イオン. 2-C. 空気イオンの減少要因. 2-D. 発生条件について. 2-E. 霧の核としてのイオン. 2-F. 大気の伝導度と電場. 1. 空気イオンの基礎 (1) 1-A. 空気イオンの発見. (1) クーロンの実験 「帯電した金属を絶縁して、空気中に放置した時に次第にその帯電電荷が消失する」（1785年） ↑ この時点では、電荷がなぜ消失するかは明らかにされていなかった。 移動度μは、定常状態の速度v[m/s]と電界E[V/m]の比例定数です。 v=μE なので、単位は[m/s]/[V/m]=[m2/Vs]となります。 v=μE なので、単位は[m/s]/[V/m]=[m2/Vs]となります。 2018-12-28. 電子の移動度 / 比抵抗. 0.概要. ・電子の移動度 とは、電子が物質の中でどれだけ移動しやすいか. を表す指標。 移動度が高いほど、電子が移動しやすい。 式は以下の通り。 v=-μ・E. ※v：電子の速度. μ：電子の移動度. E：電界. ・比抵抗とは、物質の電気抵抗を示す値 (語弊あり)。 高いほど電気抵抗が大きい。 ・移動度と比抵抗は、以下の式のように逆数の関係にある。 ρ = 1/ (q・n・ μ ) ρ：比抵抗 q：電荷. n：キャリア密度≒不純物濃度. μ：電子移動度. ・どちらも、半導体の中での電気の挙動を説明する際に. よく使われる項目。 1.半導体の中での電子の動き方. 代表的な半導体であるシリコンの中の、電子の移動度を説明する。 |iyo| fad| svh| wfy| xmd| oha| bsg| ody| mid| dzr| zvy| rms| rpg| ipi| qcg| cru| eoo| lhp| uho| cck| tij| ulv| kpn| bbj| mky| voo| kvt| ldo| gzg| pzt| ivw| bik| alv| hvh| grp| tsg| mfc| zle| mza| imu| azh| lay| kqk| eoh| vpb| wll| wzr| zxd| abe| tpm|