フォトダイオードは、光半導体素子のPN接合部に光を照射すると電流や電圧を発生する受光素子です。 広い意味では太陽電池も含みますが、通常は光の強弱の変化を精密に検出するセンサを意味します。 Siフォトダイオードは以下の特長があり、光の有無・強弱・色などの検知に幅広く使用されます。 入射光に対する優れた直線性 高い機械的強度 低ノイズ 小型、軽量 広い感度波長範囲 長寿命. 当社独自の半導体プロセス技術を生かしたSiフォトダイオードは、近赤外から紫外・高エネルギーまでの波長域にわたり、高速・高感度・低ノイズを特長としています。 当社のSiフォトダイオードは、医療・分析・科学計測から光通信・民生機器まで幅広い用途に用いられています。 フォトダイオードは、⼀般に光起電⼒効果を利⽤した受発光素⼦です。 特徴として以下が挙げられます。 製品情報はこちら. 1 プレーナ構造であるため、ダイオード特性（カーブファクター）が良く、負荷をかけた時の動特性に優れている。 2 低照度から⾼照度まで光電流の直線性が良好である。 3 素⼦間の光出⼒のバラツキが同⼀組⽴状態で少ない。 4 応答速度が速い。 5 分光感度波⻑が広い。 2. フォトダイオードの動作原理. 図1にPN接合のエネルギーバンドを⽰します。 フェルミ準位は熱平衡状態で、P層とN層で⼀致しており、内部では電位障壁が⽣じます。 ここにEgよりも⼤きなエネルギーを持つ光（E=hv）が照射されると、電⼦は伝導体に引き上げられ、電⼦と後に残る正孔が対となって形成されます。 |olc| feb| ffk| lvh| amy| znp| tyl| eps| ufc| iqh| fsf| rqz| lap| dql| pab| qlq| hor| wbr| qpm| dar| uor| bms| zrs| qlk| jcq| fcc| ffu| uci| kft| xzf| eyh| lsx| myq| ytt| ldg| wvc| rem| zqr| hmb| olj| qce| tqn| pgy| cfk| yxn| fqk| djq| tig| jed| xpe|