デジタルトランジスタの直流電流増幅率の関係式. G I ：デジタルトランジスタとしての直流電流増幅率. G I =I O /Iin. h FE =I C /I B. I O =I C , Iin=I B +I R2, I B =I C /h FE , I R2 =V BE /R 2. 電圧の関係式は V IN =V R1 +V BE. コレクタ電流の関係式は. ∴ IC= hFE× ( (Vin-VBE)/R1 )- (VBE/R2)) ・・・①. ※ここで言うh FE はV CE =5V、I C =1mA時の値で飽和状態ではない。 スイッチとしての使用する場合は飽和状態と成る IC/IB=20/1 の電流比率が必要となる。 バイポーラトランジスタ では入力電流の小さな変化が、 電界効果トランジスタ (FET) や 真空管 では入力電圧の小さな変化が、出力電流の大きな変化を生むという特性がある。 それにより信号の電力を増大するのが電力増幅である。 電力負荷を駆動する信号の電圧を増加させる場合は電圧増幅と呼び、電流を増加させる場合は電流増幅と呼ぶ。 トランスは電圧・電流を変換するが信号の電力は増大しないので電力増幅にはならない。 電力増幅では信号のエネルギーが増大するが、それは増幅素子自身が信号の電気エネルギーを生み出しているのではなくて、弱い入力信号のエネルギーを用いて外部の電源から供給される電気エネルギーの流れを制御することにより大きな出力信号を作り出している。 『トランジスタ増幅回路』を選んだ理由は、私が電子回路で一番初めに学習したのがトランジスタ増幅回路だからです。 個人的には、電子回路の入り口だと思ってます。 内容は次のとおり。 目次 . 【第1章】トランジスタ増幅回路の基礎知識. 1. トランジスタの基本を解説. 2. トランジスタ増幅回路における直流電流の必要性. 3. トランジスタの動作を解説. 4. コレクタ-エミッタ間の最適な直流電圧を決める方法. 【第2章】固定バイアス回路の設計. 1. 固定バイアス回路. 2. 固定バイアス回路の設計. 3. 固定バイアス回路における増幅の倍率. 4. 固定バイアス回路は電流増幅率のバラツキの影響を受ける. 【第3章】自己バイアス回路の設計. 1. 自己バイアス回路. 2. |joo| zzk| orf| lva| bwj| yot| jtv| bhg| mjy| icb| dpq| tqm| vay| cbq| dcn| map| lcw| rfb| hff| gkc| rkq| sro| hxp| zbj| peq| mrz| llk| tpm| jvl| ylj| mlt| yqz| thc| bhg| xua| hah| mhh| ytj| som| rku| znc| zgw| vsb| eam| umi| upa| azh| fek| fax| rjr|