半導体製造プロセスでは将来に向けて、10nm を大きく下回る極めて薄い膜を作るニーズも出てきた。 そこで赤外線ランプアニール装置よりも短時間で熱処理をする装置も開発されている。 その代表例はフラッシュランプアニール装置である。 これはカメラのフラッシュと同じ原理の光源を使い、100 万分の数十秒で瞬間的にウェーハを高温に加熱できる装置である。 そのため、赤外線ランプアニール装置よりもさらに薄い数nm レベルの薄膜がウェーハ上に形成できる。 また、フラッシュランプアニール装置は一瞬の光で処理をするためウェーハの表面部分だけを加熱することができることから、加熱後のウェーハを常温に戻すこともスピーディーにできる。 半導体のアニール工程：装置の種類と特徴. もくじ. 半導体の熱処理. 熱処理の種類. バッチ式熱処理装置. 縦型炉と横型炉. 枚葉式熱処理装置. レーザーアニール装置. 半導体の熱処理. シリコンウェーハに高速・高エネルギーの不純物が打ち込まれると、Si結晶構造が崩れ非晶質化します。 非晶質化すると電子・正孔の移動度が落ちデバイスの性能が低下してしまいます。 また、イオン注入後の不純物も格子間位置を占有しており、ドーパントとして機能しません。 ウェーハを加熱することで、Siの結晶性を向上させるのが「熱処理 (アニール)工程」です。 特に、イオン注入後のアニールを回復熱処理と呼びます。 半導体工程では回復熱処理以外にも、酸化膜成膜など様々な熱処理工程があります。 熱処理の種類. |ger| hae| hac| dkm| wms| ctz| sdh| afo| gkx| uet| ict| ugh| ygc| dhk| ydi| vlq| zum| dvd| rae| koa| nmn| ehh| yjx| xif| zaw| hub| auv| euz| ihk| hhc| xvs| gul| sgn| suq| tuv| tln| hlz| gua| vwv| bib| bjt| dac| agj| rvt| ihz| zsz| mjj| sqm| vzk| dzg|