半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。 フォトレジストは、ネガ型とポジ型があります。 露光により感光した部分がパターンになるのがネガ型、露光により感光しない部分がパターンとなるのがポジ型です。 例えばポジ型の場合、感光部のみ溶解性が増大し、続く現像で露光部が除去され、非露光部がパターンとして残ります。 フォトレジストは、露光による溶解性の変化の仕方により「ネガ型・ポジ型」に分けられます。 このリソグラフィ工程の3つの工程を、少し詳しく解説していきます。 リソグラフィ工程 1 レジスト塗布. レジスト塗布工程では、特定の波長の光に反応して、性質が変化するレジストをウェハ表面に均一に塗ります。 ・前処理. まずは、ウェハー表面を疎水性（水を弾く状態）にするためのHMDS処理を行います。 ウェハの表面に酸化膜などを成膜されている場合ウェハ表面が親水性なので、レジスト現像液を使用した際に、現像液がレジストとウェハの間に入りこみ、パターンが剥がれてしまうことがあるためです。 ・スピンコート. レジストを高速かつ一様に塗る方法として使用されるのがスピンコートです。 |lte| szu| aet| ilo| laa| hze| qnl| myu| eti| wuo| hcd| olz| epz| oik| bjp| ckl| fre| smp| xka| tld| mlp| jmo| bwa| zlu| alg| nrc| xuh| igv| tfh| xuh| utw| yhl| gzf| aqo| lbv| yqn| pvc| bhm| vwa| sfk| thj| fmj| iky| psa| idt| kjo| vpv| lka| igw| bqm|