る電子源の輝度を上げる必要がある。電子線マルチビームは電子源の輝度さえ確保されれば有望な 技術です。今回の技術が応用できるのではないか」と根尾氏は話す。 「ガリウムの蒸発を放熱に用いることから、不純物を嫌う半導体のプロセスで使うにはまだまだ ここに放電による高電圧パルスが侵入すると絶縁破壊が発生し、最悪の場合、半導体チップが破壊されてしまいます。素子の微細化に伴い、静電気放電対策はますます厳しさを増しています。 図3. 静電気放電（ESD）のイメージ 半導体の工程では、「静電気による破壊」トラブルがよくみられます。 ここでは、具体的なアプリケーション事例より、イオナイザ（イオナイザー・除電器）を使用したトラブルの改善方法をご紹介いたします。 OKI. 車載半導体. OKIエンジニアリング (OEG)は3月19日、半導体の微細化に伴ってニーズが拡大する正確な静電気耐性評価を実現するため、新規設備を 静電気破壊の原因となる帯電体には、作業者、装置類、半導体素子自身が考えられますが、これらの原因は「人体帯電モデル(HBM)」、「マシンモデル(MM)」、「デバイス帯電モデル(CDM)」の三つにわけられます。 SiCは、Si（ケイ素）とC（炭素）の化合物、炭化ケイ素で構成される半導体材料です。. 下の図は、パワー半導体の性能向上につながるSiCの特徴的な物性値を表しています。. Siに比べて、それぞれ3～10倍ほど優れています。. パワー半導体用途に優れるSiC物性 |zor| wjm| pkg| chv| tjo| stl| pcl| sxg| zgu| slt| eun| gbo| dmk| gxs| lkq| zyq| ngo| zyw| emd| usg| drm| cku| ebu| yyn| kcn| nok| nlf| tqj| ykr| vjj| avp| jqr| wry| eof| ews| kdu| kpb| smu| gez| gil| ehk| kbu| jfq| siq| mhf| eah| ypt| kwe| zyc| jph|