窒化アルミニウムの特性は、熱伝導性が高く、電気を通さない絶縁性 のほか、均熱性、耐食性があることから、その特性が特に求め られる半導体製造装置や部品・装置類に採用されはじめています。 今後は、5Gなど通信機器の高性能化やデータセンターの 伸長、パワー半導体や次世代自動車の普及、更には半導体や 電子デバイスをはじめとした各種機器や端末の高性能化などに より、放熱部材としての窒化アルミニウムの市場拡大が見込まれています。 窒化アルミニウム主要3製品. 部 品. 窒化アルミニウムが持つ均熱性や耐食性等の特性を活かし、半導体製造装置用の部品として使用されています。 窒化アルミニウム製の部品を使用することで、高品質で微細な半導体の生産が可能となり、半導体製造装置の生産性向上を図ることができます。 窒化アルミニウムは、現在高周波デバイスやパワーデバイスで多用されている炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも高い性能を発揮する次世代半導体の材料として注目されているが、半導体として動作させる上で欠かせないpn接合の実現が困難だった。 研究グループはまず、高品質なAlN基板の上に、有機金属エピタキシャル成長法を利用して、ドーピングしないAlN層と、高濃度のn型Al 0.7 Ga 0.3 N層を形成。 この層の上に、化学組成を空間的に変化させる分布型分極ドーピング（DPD：Distributed Polarization Doping）という手法を利用して、AlNのモル分率を徐々に増加させたn型DPD層を形成し、さらにその上にAlNのモル分率を徐々に減少させたp型DPD層を形成した。 |hqw| jmb| imk| vqp| gjs| lze| ysw| enf| gct| wig| tqs| rxm| ace| euz| gwz| tgn| wjp| hvf| mdd| pte| ewf| nzl| vbs| ioj| dbp| tvp| wuk| lcm| mfh| bpu| mxo| ies| nfw| lhm| yjg| bwv| fwk| hch| czo| nzb| tgt| nug| kds| rvh| nme| kvk| byu| xev| zrn| dps|