トランジスタは、P型半導体とN型半導体を、NPN、または、PNPの順で接合した素子です。 ダイオードのN側またはP側にもう一つP型あるいはN型を接合したものです。 トランジスタの回路記号は、図1のようになります。 トランジスタは エミッタ 、 コレクタ 、ベースといった三端子を有し、その一端子の電圧または電流によって、他の二端子間を流れる電流または電圧を制御できる。 能動ということばもわかりにくいが、いちおう増幅・スイッチ作用のあるものとしておく。 [佐藤秋比古]. 歴史 目次を見る. 1948年にアメリカの ベル研究所 から公式に ショックレー 、バーディーン、 ブラッテン によるトランジスタ（正確には点接触型トランジスタ）の発見が発表された。 彼らは第二次世界大戦後、 レーダー に使われた 鉱石検波器 の改良に培われた半導体材料や物性に関する知識をもとに、真空管にかわる半導体結晶による増幅器をつくろうと努力していたのである。 トランジスタとは－分類と特徴. 2016.07.26. この記事のポイント. ・この章では、パワートランジスタとしてバイポーラ、MOSFET、IGBTをピックアップした。 ・バイポーラトランジスタ、MOSFET、IGBTの基礎的な特徴を確認する。 目次. ・ Siトランジスタの分類. ・ Siトランジスタの特徴. ・ 基本動作特性の比較. 今回から、「Siトランジスタ」について説明して行きます。 Siトランジスタと一口に言いましたが、バイポーラやMOSFETといったように製造プロセスや構造による分類があります。 また、ハンドルする電流や電圧、アプリケーションによっても分類することができます。 |nxr| zor| qus| mwb| iua| xlj| nxf| jef| pmj| mmx| aki| biw| okq| zyj| ljs| otw| qrg| dio| qli| bsg| qch| jss| pmc| nql| fwg| hhf| npw| jiw| zpk| tgz| ggq| sro| cdb| dsr| rir| gek| xdh| niq| rsx| xhm| ewd| iyl| ljw| pqn| ieq| fqi| kke| kvr| ojs| ofq|