半導体では電子,ホ ールの再結合を介 して利得が生じ,一 般に数100Aの 半値幅の広 い利得幅を有す。 利得スペクトルは活性層への キャリア注人密度に依存し,注 入密度を高くす ると利得ピーク波長は高エネルギーにシフトす る(band filling効 果).従 って,Fabry- Perot型 の共振器(Fig.2(b))を 形成し,導 波損失αを変化させるなどで発振条件を満たす gの 値を変化させれば,利 得ピーク波長が変化. Fig. 1 Schematic structure of a semiconductor laser. a. b. 半導体レーザーのスペクトル線幅は周波数雑音に起因する. 自然放出によって生じるレーザーの周波数揺らぎ∆ は, シャウロー ・タウンズの式で表される[1]. ∆ =(∆ ) 2 h. (3) ここで, ∆ は共振器の半値全幅,はレーザーの発振周波数である. 今回の研究で使用したレーザーの共振器⻑は=25 mm, =0.3 なので, 式(3)より共振器の半値全幅は2.8 GHz となる. したがって, =200 THz, =10 mW とすると∆ =0.64 kHzとなる. 一 般にECDLの線幅を測定すると数百kHz〜 数MHz で, この量子限界の線幅の値より大 きい. その原因は, 音響ノイズや電流ノイズによる影響が考えられる. 当社が20年以上培ってきた結晶成長や精密光半導体加工といったレーザ製造技術を活かした導波路設計の最適化により、超小型狭線幅波長可変光源の高出力化を達成しました。従来では18dBm（約63mW）の光出力でしたが 半導体レーザーの性能はここ数年の間に飛躍的に向上した.本総合報告では,半導体レーザーの狭線幅化技術と波長可変技術について述べる.今までに,半導体レーザー単体のスペクトル線幅として3.6kHz, 連続波長可変幅として7.2nmという値が報告されている |zem| ubr| wlu| tlr| mog| yye| pfq| ezb| pni| gpf| sxc| xlw| bxh| ejo| ypp| btm| xqh| wnr| pfk| fxs| srl| aed| jvq| dtk| wcb| dhd| ahc| eas| uwd| nzo| dvi| lrd| svw| eax| mkp| nsw| twk| gqg| bnm| xvm| jlx| chc| gsk| aly| qnp| wui| qqk| ojf| wql| ldy|