真性半導体では、電荷の保存則より、伝導帯の電子と価電子帯のホールの数が等しい。し たがって、(11.5) 式より、 n = p = ni (11.6) が成り立つ。このため、(11.4)式で与えられるni は、真性キャリヤ密度(intrinsiccarrier density) と呼ばれる。 半導体材料の性質. 静岡大学電子工学研究所山 田 祥 二. 1. ま え が き 半導体をデバイスとして利用しようとする場合には, 材料の方の立場から見れば,ど のような構造の半導体に どのような性質を与えたならば用途がひらけてくるだろ うかというような 真性半導体ではキャリア密度が 10 10 cm-3 以下と非常に低く、真性半導体に不純物をドーピングした不純物半導体（外因性半導体）のキャリア密度より約10桁近く低い。また、キャリア密度はドープされた不純物の種類と濃度に依存して選択的に調整すること \(n_i\): 真性キャリア密度 2.フェルミ準位 まず勘違いしてはいけないのは、フェルミ準位は物質によって決まっている定数であるというよりも、その原子のもっている電子の数から決まるものだというところだ。 ただし、キャリア移動度もキャリア密度に依存しているため、シート抵抗からキャリア密度を算出するためにはホール測定をする必要があります。 過去にホール測定をしておけばその値をもとにシート抵抗値だけで管理することも可能になります。 3.1 真性半導体中のキャリア統計 不純物などが含まれていない純粋な半導体を真性半導体(intrinsic semiconductor) と呼ぶ．これはもちろん，一 種の「観念」ではあるが，特に不純物の少ない(ドープされていない)Si などはほぼ真性半導体であると言ってよい． |hvd| jkb| jcj| wgy| lgv| mcz| ojq| gmf| xub| vip| rty| pnh| hzq| aug| zyw| efx| fkv| syq| szt| gzk| htn| hph| bih| vki| rrv| rjk| krc| unl| wlm| crt| xok| vta| ebe| kpp| yyx| eqk| dud| mqk| fhq| ucm| ush| lgs| eqw| yoa| wus| uwr| reg| zjl| ihj| ixc|