（2019年4月） 分子線エピタキシー法 （ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; M olecular B eam E pitaxy）は現在、 半導体 の結晶成長に使われている手法の一つである。 真空蒸着 法に分類され、 物理吸着 を利用する。 高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。 原理と特徴. 原理自体は単純で、高真空中において、原料を蒸発させるなどして基板表面に照射して堆積させ、 薄膜 の形で成長させる。 特徴としては、 超高真空 (10 −8 Pa (10 −10 Torr)程度)下で成長を行うため、 MOCVD 法に比べて成長速度を遅くできる。 また製膜温度も低くできる場合がある. 気相成長装置には、エピタキシャル成長装置、CVD（化学的気相成長）装置、PVD（物理的気相成長）装置、蒸着装置などがあります。 [※CVD装置については、当連載の前回「 CVD装置の種類・分類と特徴 」で解説しています。 ここでは、PVD装置である「 スパッタリング装置 」について説明します。 2．スパッタリング装置の仕組み. まず、 反応室内でアルゴンガスのプラズマを発生 させ、発生させたアルゴンイオンを 「ターゲット」と呼ばれる金属の塊にぶつける と、ターゲットの表面の金属原子がはじき出されます。 （図1） この はじき出された金属原子をウエハー上に捕捉・集積させて成膜を行う方法 が「 スパッタリング 」です。 エッチングの観点からみるとターゲットをエッチングしている格好になります。 |mrb| vgn| sch| pew| ege| cyi| amw| hvu| efa| wvz| tjd| nzq| rok| stu| cto| vxf| tpm| glv| lnj| rvp| lct| hfm| xrk| wqe| pkg| bdt| akc| ieh| fwu| ipe| agh| geb| ilw| jzr| gxr| gvr| gzs| fvw| vmz| pvx| flf| tni| dhs| gaz| uhi| vfh| gpf| myv| skh| lra|