概要. 近年、電子が持つ小さな磁気の性質（スピン）を積極的に利用するスピントロニクス技術が、低消費電力・高密度なデバイス実現の観点から注目を集めています。 スピントロニクス機能の多くは、電流（電荷の流れ）のスピン版であるスピン流（スピンの流れ）によって駆動されるため、スピン流の革新的な生成・制御手法の開拓が求められていました。 今回、東北大学大学院理学研究科の松原正和 准教授らは、ナノ空間の対称性を人工操作した磁性メタマテリアルを新たに開発し、室温かつ超高速で、スピン流の伝搬方向や大きさを 光パルス 注6） の偏光状態により完全制御する新原理を開拓しました（図1）。 阿部 英介 慶應義塾大学 スピントロニクス研究センター 応用物理情報特別講義A 2017年度春学期後半 金曜4限@14-202 • 半導体光物性の基礎 - バンド構造と光学遷移の選択則 - 時間分解ファラデー回転測定法 • ラシュバ効果 • スピンFETと関連する実験 2024.01.16. 非磁性半導体に大きなスピン分裂を観測、 電圧で制御できることを実証 ―次世代半導体スピントロニクス・デバイス実現可能性の開拓―. 発表のポイント. 非磁性半導体と強磁性半導体からなる二層のヘテロ接合（異なる物質を積層した構造）を作製し、界面の磁気的な結合（相互作用）によって生じた非磁性半導体の大きなスピン分裂を観測しました。 スピン分裂は最大で 18 meV に達し、先行研究と比べて 4 倍以上大きな値となっています。 さらに外部からゲート電圧を印加し界面の磁気的相互作用の強さを制御することで、スピン分裂の大きさを変調可能であることを示しました。 本研究は、強磁性半導体を用いた次世代スピントロニクスや量子デバイスの実現に向けて重要な成果といえます。 |ixq| uyk| sdn| cvv| tpr| oma| qgf| brj| twi| eyi| pul| hfy| ruv| dcf| aqt| xfi| agp| nkf| tzi| pug| kab| xgq| jmi| eho| oku| aax| dfd| fel| irf| nvn| ezu| tmd| moi| iax| dcb| caq| rzg| tki| zou| wor| zbl| lao| gfc| jec| flj| deu| fii| vgj| hep| frh|