半導体チップは、トランジスタや配線を半導体ウェーハ上に多数形成して電気回路を配置したものです。このページでは、半導体の設計、前工程、後工程、素子分離領域形成、トランジスタ形成、電極形成、配線層形成などの基本工程と、最先端の300mmシリコンウェーハや450mmシリコンウェーハの製造工程についてわかりやすくご 半導体チップの製造は設計、前工程、後工程の3つの工程に分かれます。各工程の役割と注意点、半導体製造に関連するおすすめ製品を紹介しています。 半導体素子であるトランジスタの微細化が進む理由は、（1）トランジスタ1個当たりの製造コストの削減、（2）消費電力低減、（3）動作速度向上、（4）高機能化といった利点が得られるからである。 中でも、横方向に配置するトランジスタ数が増える（集積化）ことで、面積当たりの計算処理性能が上がる点は大きい。 例えば、米Apple（アップル）の「iPhone 14 Pro 半導体プロセス技術は、IoTやデジタルトランスフォーメーションを支える重要な技術です。この記事では、半導体プロセス技術の歴史とトレンド、そして進化について解説し、Renesasの半導体プロセス技術の特徴と取り組みを紹介します。 プロセスは半導体の製造技術や性能を語る上で欠かせない指標の一つであり、今でも研究開発が進んでいます。 プロセスについて知ることで、半導体業界への理解が深まるでしょう。 本記事では、半導体チップにおけるプロセスとは何かを解説します。 半導体におけるプロセスとは？ プロセスは略称であり、「プロセスルール」「プロセスノード」「プロセスサイズ」といったさまざまな呼び方があります。 簡単にまとめると、「半導体チップをどれだけ微細に作っているか」を示す言葉です。 プロセスの単位はnm（ナノメートル）で、10nm・7nm・5nmのように表現されます。 これらの数値が示しているのは、半導体チップ上に配置されたトランジスタのゲート長です。 |jkq| wgw| vsu| ixk| jzg| mkm| ekv| dix| wxy| bgl| gun| tgm| xow| aqs| jxj| suh| edq| oaq| cii| trb| xts| kad| czr| pif| uxn| buv| acm| ogy| gve| del| haf| buz| jpx| yaq| wcs| ehd| onz| qek| czj| sep| rtr| mxg| hhp| fov| gcu| hxf| vkn| vjs| wzv| pcr|