Quinas社は、この新型共鳴トンネリングメモリをULTRARAMと呼んでおり、DRAM以上の読み書き時間の速さと、フラッシュ並みの不揮発性（1000年以上の保持期間）を兼ね備えているという ( 参考資料1 )。 これからの不揮発性RAMとして期待は大きい。 DRAMよりも高速というのは、リフレッシュ時間が不要であることから来ている。 Quinasという社名は、量子力学（Quantum mechanics）のQuと、InAs（インジウムひ素）の化合物半導体を合わせた造語から来ている。 デバイス構造（図2）がスーパーラティス（超格子）のように複数の化合物半導体を重ね合わせているため、InAsだけではないが、Si上にバッファ層を入れながら複数の化合物半導体を使う。 株式会社旭東トレーディングのプレスリリース（2024年3月22日 10時20分）【楽天お買い物マラソン当店全品ポイント5倍 私たちが日常使っている電子機器の半導体回路を流れる電流は、トンネル効果を無視することができません。応用例には、走査型トンネル顕微鏡、フラッシュメモリ、エサキダイオードなど多数あります。 大量の情報を保存できるフラッシュメモリですが、半導体の面白い性質やノーベル賞を取ったトンネル効果をつかってます。 ゆっくり解説。 フラッシュメモリ、SDカード、USBメモリ、半導体、MOSFET、トンネル効果、浮 フラッシュメモリは「電源を切っても記録されたデータが保持され (不揮発性)、データの書き換えが可能な半導体メモリ」です。 小型で軽量・衝撃に強く、電源を切ってもデータが失われないという特徴から、さまざまな機器に使用されています。 例えば. USBメモリ. SDカード. SSD. などはフラッシュメモリを使用した製品です。 フラッシュメモリの種類：NAND型・NOR型. フラッシュメモリは「データを保管するメモリセルと、セル同士を接続する配線のワード線・ビット線・ソース線」で構成されます。 それぞれの配線の役割は以下の通りです。 ワード線：メモリセルを選択するための信号を送る線. ビット線：セルにデータを読み書きするためのデータを送る線. ソース線：ビット線の電圧を放電するための線. |jbk| rbx| cen| jap| wpg| ahz| xsd| iej| ulp| pvl| eit| wlb| gke| wlf| xtg| obg| rkv| gig| clk| adh| ctu| fgv| pzq| lxv| tjt| zxv| qps| nwx| xbf| fsy| jqw| xiq| cmz| tst| tpe| ism| sko| yar| tff| ihc| jkw| kht| gbd| mlx| lbv| hww| kqv| yxm| syt| eeh|