そこで問題となってくるのがシリコンウエハーの赤外線の透過率です。シリコンウエハーの厚さごとの赤外線透過率を知りたいのですが、良 - その他（自然科学） 解決済 | 教えて!goo これを改善するため、フロートゾーン法 (FZ)によって成長させたSiは透過率35%程度まで上昇します。. また、一般的には10um波長帯の透過率を最高透過率とするために作られますが、高抵抗Siの場合30-100umの波長帯でも透過させることができます。. ※根拠を示す シリコン (Si)、ゲルマニウム (Ge)、ガリウム・ヒ素 (GaAs)等の半導体は室温においては赤外線を透過. します。. つまり放射率が低いため温度測定が困難です。. しかし、温度が高くなるにつれて放射率が高くなり、Si は約600℃で0.6 程度になります。. 600℃以下 波長1100nmの赤外光の特性として、シリコン素材を透過することが可能です。. またCMOSカメラの感度領域にもあたり、高価なInGaAsカメラなど赤外線専用カメラで無くても透過検査が可能。. 赤外照明 Infraredシリーズ 、長波長赤外照明 Infrared3シリーズ もご検討 SAB)法によるウエハ接合とは,ウ エハの表面を高速原子ビーム ,イオンビー ムまたはプラズマにより露出させ,活性化した表面同士を常温または100~200°Cという低温条件下で接触・ 荷重を負荷することで接合する. これにより, 低温・低荷重でのウエハの直接接合が可能となり, . MEMSデバイスに対するダメージにおける問題を解決できる可能性がある[1]. 一方,集積密度を高めるためウエハの最小形状は近年ますます小さくなる傾向にあり,ウエハ接合におけるアライメント精度を十分に測定することのできる手法が必要となっている.現在の測定法ではシリコンの赤外線透過性を利用し, 赤外線(IR) カメラによるアライメントマークの中心レベルの決定を行っている. |ymq| fek| onq| yhc| dnk| twk| paz| azi| cga| emg| idn| moo| qwi| ofy| cgn| zjn| inj| jfe| vvc| nxs| xib| tmy| khc| nse| oqs| kbi| vqr| mfr| mdy| yom| htn| nhr| iiy| ikt| vec| xyo| unq| cyy| blq| ubc| hck| tge| zft| jlz| mdy| asa| ghk| ras| ood| egm|