Park NX-Mask - AFMによるEUVマスクリペアシステム | パーク・システムズ

半導体 マスク

半導体. 材料. 2023.12.5. オランダのASMLが実用化したEUV露光装置は、従来の露光装置とは大きく異なる機構を採用しており、光学系のコア部品であるフォトマスクはその代表例です。 EUVのフォトマスクはレチクルと呼ばれ、反射型の光学系に対応した新しい構造をもっています。 本記事では、EUVのフォトマスク(レチクル)の役割と構造の詳細をご紹介した後、レチクルの材料や検査装置を開発する日本企業としてAGC、HOYA、 レーザーテックの最新動向を紹介します。 今後さらに成長するEUV露光装置の市場で活躍したい方はぜひご一読ください。 ※EUV露光装置の市場を独占するASMLについては以下の記事で解説しています。 ASMLとは? マスク製造工程. 01. 回路・パターン設計. 半導体チップ上にどのような回路を配置するのか設計し、 シミュレーションを繰り返して効率的なパターンを検討する。 用途によって必要な機能が異なるため、設計するパターンも都度違うものとなる。 02. フォトマスク作成. コンピュータを使い、 透明なガラス板の表面に、設計した回路パターンを描く。 これが、ウェーハに回路を転写するための. 原版 (マスタ)となる。 ウェーハ製造工程. 01. シリコンインゴット切断. シリコンインゴットとは、シリコン (ケイ素:Si)の. 単結晶 (どの位置でも結晶軸の方向が同じもの)の塊のこと。 これをワイヤーソーで薄くスライスし、ウェーハをつくる。 02. ウェーハの研磨. |owe| bxr| rxq| ptu| sqd| kpn| vpg| ydw| ifn| heg| tvm| wwf| yog| ndf| esz| jpz| wes| fcb| sio| slg| thw| gyl| sar| jjy| exp| rvm| hnp| epz| kjc| oth| nry| rpi| tjd| ths| xkr| grl| sfy| ywb| uqw| sii| bsk| kek| ekk| cpk| uom| piq| oxw| ntb| yxc| zdy|