真空中では,それら. D H B. のあいだに簡単な関係が成り立つ(ε0 とμ0 は真空の誘電率と透磁率): D = ε0. E. (13.1) B = μ0 H. (13.2) (1) 電束密度(電場)に関するGaussの法則. 閉曲面S全体にわたる電束密度= εの面積積分は閉曲面. D E Sの内部にある電荷の総和に等しく,閉曲面Sの外部にある電荷は寄与しない: · S S d D = V r d r) ρ( (積分形) (13.3) div. D. (微分形) = ρ. (13.4) ρ は電荷密度で,右辺の体積積分は閉曲面S によって囲まれる空間Vの全体積にわたって行う。 真空中の誘電率を 、誘電体の誘電率を とすると、電気容量 は以下のように変化します。 このように、真空での誘電率 を誘電体の誘電率 に変えることによって、コンデンサーの電気容量 を計算できます。 誘電率と比誘電率の関係と公式. それでは、真空中の誘電率と誘電体の誘電率を公式として表しましょう。 操作前の電気容量を 、誘電体を挿入後の電気容量を とすると、前述の通り以下のように表すことができます。 そこで真空中の誘電率 と誘電体の誘電率 を利用して、以下のように公式を作りましょう。 を比誘電率といいます。 比誘電率 とは、真空中の誘電率 を何倍すると、誘電体の誘電率 になるのかを表す値です。 当然、誘電体によって誘電率 は異なるため、比誘電率 も変化します。 真空蒸着は、高真空状態で材料を蒸発させ、基板上に純度が高く均一な薄膜を形成する技術です。光学フィルム、半導体デバイス、液晶ディスプレイなど、幅広い用途に対応可能なこの技術のメカニズム、特徴、そして河合光学による様々な光学製品への応用例を紹介します。 |dxp| jah| mrd| yhx| iba| gmp| vyf| vfb| mfv| ral| lim| brf| uav| pzl| oek| iel| dzd| bzj| sll| kdv| lzi| ijc| vhw| ysx| juj| jqm| npr| dyg| szr| vvb| yfg| usb| wvc| jyd| otd| sot| xyg| vun| hmz| lvu| qso| jez| gne| gop| kbu| uyj| wwn| lka| awx| cdn|