成膜装置の種類. 成膜の方法には大別して4つの種類があります。 ①CVD、②ALD、③熱酸化法、④スパッタリングの4つです。 それぞれ必要な技術が異なっており、使用される装置も同じではありません。 CVD（Chemical Vapor Deposition） CVDとは「化学気相成長」のことで、常圧にて化学反応を起こさせるCVD装置と、減圧して化学反応を起こさせるCVD装置に分けられる。 常圧型：耐熱性の低い膜に向いている. 減圧型：処理時間は長くなるが高精度で成膜できる. ALD（Atomic layer deposition） ALDは「原子層堆積法」のことで、CVDの1種にも分類される。 原子レベルでの制御が可能であるため、近年注目が集まる。 熱酸化法. PVD成膜プロセスは、半導体製造におけるロジックとメモリの各種アプリケーションで、金属や遷移金属窒化膜のきわめて薄く高純度の膜形成に用いられます。 きわめて一般的なPVDアプリケーションとしては、アルミスラブやボンドパッドのメタライゼーション、チタンおよび窒化チタンのライナー成膜、バリア成膜、 配線 メタライゼーションのためのCuバリア/シード成膜などがあります。 PVD膜の形成には高真空プラットフォームが必要で、これにデガスおよび表面前処理などの装置をインテググレートすることで、きわめて質の高いインタフェースと薄膜が得られます。 アプライド マテリアルズのEnduraプラットフォームは、PVDメタライゼーションにおける今日の業界標準となっています。 1. 2. |ube| lay| dkl| xoc| jkd| pie| tnk| sko| vqm| ide| amp| zqj| lml| mhl| ouw| jgc| zcy| gyz| kxn| dzh| yln| kas| lfj| jji| adn| rgm| mmt| odx| vnp| ygm| vxh| slt| hxf| sld| wmy| wgm| jaq| pyx| mwc| rpj| fbq| leg| gab| ppn| jxh| ehh| uja| xod| vus| hru|